SI3499DV-T1 datasheet
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>> SI3499DV-T1 MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SI3499DV-T1
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V
SI3499DV-T1 PDF下载
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
P-Channel
汲极/源极击穿电压
8 V
闸/源击穿电压
+/- 5 V
漏极连续电流
5.3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
0.023 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
SI3499DV-T1
SI3499DV-T1-E3
SI3499DV-T1-GE3
Si3500-A-GM
SI3500-A-GMR
SI3529DV-T1-E3
供应商
公司名
电话
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0755-23607487
张育豪 13360528695
北京耐芯威科技有限公司
010-62962871
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深圳市欧和宁电子有限公司
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李先生
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104791
刘先生
深圳市创芯弘科技有限公司
13410000176
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13316584388
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0755-83276452
张小姐/Vivianvi
深圳市昌云科技有限公司
19129948048
贺小姐
SI3499DV-T1 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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